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IRLML2502PBF中文资料

IRLML2502PBF图片

IRLML2502PBF外观图

  • 大小：180.16KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET Power MOSFET
  • 典型关断延迟时间：54 ns
  • 典型接通延迟时间：7.5 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：8 nC V @ 5
  • 典型输入电容值@Vds：740 pF V @ 15
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：1.4mm
  • 封装类型：Micro3
  • 尺寸：3.04 x 1.4 x 1.02mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：1.25 W
  • 最大栅源电压：±12 V
  • 最大漏源电压：20 V
  • 最大漏源电阻值：0.045
  • 最大连续漏极电流：4.2 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：3.04mm
  • 高度：1.02mm

IRLML2502PBF供应商

更新时间:2023-01-13 22:07:35
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